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    RQ1A070ZPTR
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    ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): RQ1A070ZPTR

    制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

    功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET P-CH 12V 7A TSMT8

    系列: -

    FET 類型: MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動(dòng)

    漏源極電壓(Vdss): 12V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 7A(Ta)

    不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 12 毫歐 @ 7A,4.5V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 58nC @ 4.5V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 7400pF @ 6V

    功率 - 最大值: 1.5W

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線

    供應(yīng)商器件封裝: TSMT8


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