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    RQ1C075UNTR
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    ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: RQ1C075UNTR

    制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 20V 7.5A TSMT8

    系列: -

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 邏輯電平柵極,1.5V 驅(qū)動

    漏源極電壓(Vdss): 20V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 7.5A(Ta)

    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 16 毫歐 @ 7.5A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 1V @ 1mA

    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 18nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 1400pF @ 10V

    功率 - 最大值: 550mW

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: 8-SMD,扁平引線

    供應(yīng)商器件封裝: TSMT8


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