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    RS1E300GNTB
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    ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): RS1E300GNTB

    制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 30V 30A 8-HSOP

    系列: -

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓(Vdss): 30V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 30A(Ta)

    不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值): 2.2 毫歐 @ 30A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 39.8nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 2500pF @ 15V

    功率 - 最大值: 3W

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: 8-PowerTDFN

    供應(yīng)商器件封裝: 8-HSOP


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