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    RSR020N06TL
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    ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: RSR020N06TL

    制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 60V 2A TSMT3

    系列: -

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 邏輯電平柵極,4V 驅(qū)動

    漏源極電壓(Vdss): 60V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 2A(Ta)

    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 170 毫歐 @ 2A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 4.9nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 180pF @ 10V

    功率 - 最大值: 1W

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    供應(yīng)商器件封裝: TSMT3


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