RT1C060UNTR >>> ROHM羅姆芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供ROHM公司RT1C060UNTR報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購RT1C060UNTR？不再猶豫，找我們沒錯(cuò)！對有長期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號: RT1C060UNTR

制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

功能總體簡述: MOSFET N-CH 20V 6A TSST8

系列: -

FET 類型: MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）: 20V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）: 6A（Ta）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）: 28 毫歐 @ 6A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）: 1V @ 1mA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）: 11nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）: 870pF @ 10V

功率 - 最大值: 650mW

安裝類型: 表面貼裝

封裝/外殼: 8-SMD，扁平引線

供應(yīng)商器件封裝: 8-TSST