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    SH8M14TB1
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    ROHM羅姆半導(dǎo)體完整型號(hào): SH8M14TB1

    制造廠家名稱: Rohm Semiconductor

    功能總體簡(jiǎn)述: MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A SOP

    系列: -

    FET 類型: N 和 P 溝道

    FET 功能: 邏輯電平門

    漏源極電壓(Vdss): 30V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)): 9A,7A

    不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值): 21 毫歐 @ 9A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值): 2.5V @ 1mA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg): 8.5nC @ 5V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss): 630pF @ 10V

    功率 - 最大值: 2W

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

    供應(yīng)商器件封裝: 8-SOP


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