NE651R479A-A >>> 瑞薩芯片，深圳市諾森半導電子有限公司提供瑞薩公司NE651R479A-A報價、現(xiàn)貨供應、功能介紹、技術資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購NE651R479A-A？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應服務！

Renesas瑞薩完整型號: NE651R479A-A

制造廠家名稱: CEL （已被Renesas瑞薩收購）

功能總體簡述: HJ-FET GAAS 1.9GHZ 1W 79A

系列: -

晶體管類型: HFET

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -

頻率: 1.9GHz

增益: 12dB

頻率 - 躍遷: -

噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）: -

電壓 - 測試: 3.5V

額定電流: 1A

功率 - 最大值: -

噪聲系數(shù): -

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -

電流 - 測試: 50mA

功率 - 輸出: 27dBm

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -

安裝類型: -

電壓 - 額定: 8V

封裝/外殼: 4-SMD，扁平引線

供應商器件封裝: