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    STB200NF04-1
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    ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STB200NF04-1

    制造廠家名稱:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

    系列:STripFET? II

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):40V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.7 毫歐 @ 90A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):210nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5100pF @ 25V

    功率 - 最大值:310W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA

    供應(yīng)商器件封裝:I2PAK


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