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    STB21NM50N-1
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    ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STB21NM50N-1

    制造廠家名稱:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK

    系列:MDmesh II

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):500V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):18A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):190 毫歐 @ 9A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1950pF @ 25V

    功率 - 最大值:140W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

    供應(yīng)商器件封裝:I2PAK


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