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    STB6NK60Z-1
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    ST意法半導體公司完整型號:STB6NK60Z-1

    制造廠家名稱:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 600V 6A I2PAK

    系列:SuperMESH?

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標準

    漏源極電壓 (Vdss):600V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):1.2 歐姆 @ 3A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 100μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):46nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):905pF @ 25V

    功率 - 最大值:110W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-262-3,長引線,I2Pak,TO-262AA

    供應商器件封裝:I2PAK


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