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    STD10N60M2
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    ST意法半導體公司完整型號:STD10N60M2

    制造廠家名稱:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 600V DPAK

    系列:MDmesh II Plus

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標準

    漏源極電壓 (Vdss):600V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):7.5A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):600 毫歐 @ 3A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):13.5nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):400pF @ 100V

    功率 - 最大值:85W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

    供應商器件封裝:DPAK


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