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    STD120N4F6
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    ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STD120N4F6

    制造廠家名稱:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 40V 80A DPAK

    系列:DeepGATE, STripFET VI

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):40V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):80A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):4 毫歐 @ 40A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):65nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3850pF @ 25V

    功率 - 最大值:110W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

    供應(yīng)商器件封裝:D-Pak


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