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    STFI31N65M5
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    ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STFI31N65M5

    制造廠家名稱:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N CH 650V 22A I2PAKFP

    系列:MDmesh V

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):650V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):22A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):148 毫歐 @ 11A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):5V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):45nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1865pF @ 100V

    功率 - 最大值:30W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-262-3 整包, I2Pak

    供應(yīng)商器件封裝:I2PAKFP (281)


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