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    STH185N10F3-6
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    ST意法半導(dǎo)體公司完整型號: STH185N10F3-6

    制造廠家名稱: STMicroelectronics

    功能總體簡述: MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6

    系列: 自動,AEC-Q101,STripFET F3

    FET 類型: MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能: 標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓(Vdss): 100V

    電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 180A(Tc)

    不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值): 4.5 毫歐 @ 60A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 4V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 114.6nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 6665pF @ 25V

    功率 - 最大值: 315W

    安裝類型: 表面貼裝

    封裝/外殼: TO-263-7,D2Pak(6 引線+接片)

    供應(yīng)商器件封裝: H2PAK-6


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