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    ST意法半導(dǎo)體公司完整型號(hào):STL60N10F7

    制造廠家名稱(chēng):STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 100V 12A PWRFLAT5X6

    系列:DeepGATE, STripFET VII

    FET 類(lèi)型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):100V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):46A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):18 毫歐 @ 6A, 10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):25nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1640pF @ 50V

    功率 - 最大值:72W

    安裝類(lèi)型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-PowerVDFN

    供應(yīng)商器件封裝:PowerFlat(5x6)


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