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    STP9NM60N
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    ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STP9NM60N

    制造廠家名稱:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 600V 6.5A TO-220

    系列:MDmesh II

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):600V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6.5A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):745 毫歐 @ 3.25A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):17.4nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):452pF @ 50V

    功率 - 最大值:70W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3

    供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB


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