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    STQ1HNK60R-AP
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    ST意法半導(dǎo)體公司完整型號:STQ1HNK60R-AP

    制造廠家名稱:STMicroelectronics

    描述:MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92

    系列:SuperMESH?

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):600V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):400mA(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.5 歐姆 @ 500mA,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3.7V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):156pF @ 25V

    功率 - 最大值:3W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引線

    供應(yīng)商器件封裝:TO-92


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