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1974年三星電子收購Hankook半導(dǎo)體后在韓國成立了三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部。三星半導(dǎo)體公司的早期業(yè)務(wù)主要包括開發(fā)及大規(guī)模生產(chǎn)IC和用于LED手表、電視機、音頻播放器以及微波爐等家用電器的外圍設(shè)備。1983年三星半導(dǎo)體成功開發(fā)64Kb DRAM內(nèi)存隨后建立器興半導(dǎo)體工業(yè)園，1984年三星第一條記憶體生產(chǎn)線投產(chǎn)，為三星發(fā)展成為世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商奠定了基礎(chǔ)。通過實施積極的三星半導(dǎo)體代理商擴張戰(zhàn)略，三星從1993年起成功贏得并保持內(nèi)存市場領(lǐng)導(dǎo)地位，從2003年起三星半導(dǎo)體NAND Flash市場占有率居世界第一...
| 產(chǎn)品圖片 | 型號 | 出廠封裝 | 功能類別 | 功能描述 | 備注 | 操作 |
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M391T6553GZ3-CE6 | 出廠封裝 | DRAM存儲器IC | DARM芯片 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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M312L2828ET0-CB0 | 出廠封裝 | 存儲器模組 | 0 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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M391B1G73EB0-YK0 | 8GB | 模塊 | SAMSUNG DRAM NAND | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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M393A2K43CB2-CTD | 16GB | 模塊 | SAMSUNG DRAM NAND | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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M471A1K43BB0-CPB | 8GB | 模塊 | SAMSUNG DRAM NAND | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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M471B5674EB0-YMA | 2GB | 模塊 | SAMSUNG DRAM NAND | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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KMGP6001BM-B514 | 221FBGA | 多制層封裝芯片 | SAMSUNG DRAM NAND | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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S2MPU03 | WLCSP（182 珠），0.4mm 間距 | 電源IC芯片 | SAMSUNG DRAM NAND | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K6R1016V1D-UC10 | 出廠封裝 | SRAM存儲器IC | 0 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K4U6E3S4AM-GHCL | 200FBGA | 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器 | SAMSUNG DRAM NAND | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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KM616FS1000Z | 出廠封裝 | SRAM存儲器IC | 0 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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MR18R0828AN1 | 出廠封裝 | 存儲器模組 | 0 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K9F1G08U0C-PCB000 | 出廠封裝 | 存儲器IC | DARM芯片 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K6E0808C1E-JC15 | 出廠封裝 | SRAM存儲器IC | 0 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K6F4016U6C-FF70 | 出廠封裝 | SRAM存儲器IC | 0 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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M383L3310CT1-CA0 | 出廠封裝 | 存儲器IC | DARM芯片 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K6R1008C1C-TC12000 | 出廠封裝 | SRAM存儲器IC | 0 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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KM44C4003CS-6 | 出廠封裝 | DRAM存儲器IC | DARM芯片 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K4S563233F-FF1H | 出廠封裝 | DRAM存儲器IC | DARM芯片 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K4EBE304EB-EGCF | 178FBGA | 低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器 | SAMSUNG DRAM NAND | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K4S563233F-HG1L | 出廠封裝 | DRAM存儲器IC | DARM芯片 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K4S641632E-TC1HT | 出廠封裝 | DRAM存儲器IC | DARM芯片 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K4S643232E-TC@L50 | 出廠封裝 | DRAM存儲器IC | DARM芯片 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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K4D551638F-LC40000 | 出廠封裝 | DRAM存儲器IC | 0 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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KM416C1000CJ-6 | 出廠封裝 | DRAM存儲器IC | DARM芯片 | 原廠渠道，價格優(yōu)勢，貨源穩(wěn)定！ | 查看詳情 |
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