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TI德州儀器公司完整型號：CSD25401Q3

制造廠家名稱：Texas Instruments

描述：MOSFET P-CH 20V 60A 8-SON

系列：NexFET?

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：14A（Ta），60A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：11.7 毫歐 @ 10A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：12.3nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1400pF @ 10V

功率 - 最大值：2.8W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-TDFN 裸露焊盤

供應商器件封裝：8-SON