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    2SK879-GR(TE85L,F)
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    東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):2SK879-GR(TE85L,F)

    制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:JFET N-CH USM

    系列:-

    FET 類型:N 溝道

    電壓 - 擊穿 (V(BR)GSS):-

    漏源極電壓 (Vdss):-

    不同 Vds (Vgs=0) 時(shí)的電流 - 漏極 (Idss):2.6mA @ 10V

    漏極電流 (Id) - 最大值:-

    不同 Id 時(shí)的電壓 - 截止(VGS 關(guān)):400mV @ 100nA

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):8.2pF @ 10V

    電阻 - RDS(開(kāi)):-

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:SC-70,SOT-323

    供應(yīng)商器件封裝:USM

    功率 - 最大值:100mW


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