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    GT60N321(Q)
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    東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):GT60N321(Q)

    制造廠家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

    系列:-

    IGBT 類(lèi)型:-

    電壓 - 集射極擊穿(最大值):1000V

    電流 - 集電極 (Ic)(最大值):60A

    Current - Collector Pulsed (Icm):120A

    不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):2.8V @ 15V,60A

    功率 - 最大值:170W

    Switching Energy:-

    輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)

    Gate Charge:-

    25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:330ns/700ns

    Test Condition:-

    反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):2.5μs

    封裝/外殼:TO-3PL

    安裝類(lèi)型:通孔

    供應(yīng)商器件封裝:TO-3P(LH)


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