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    RN1110MFV(TL3,T)
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    東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):RN1110MFV(TL3,T)

    制造廠家名稱(chēng):Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM

    系列:-

    晶體管類(lèi)型:NPN - 預(yù)偏壓

    電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA

    電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V

    電阻器 - 基底 (R1) (Ω):4.7k

    電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):-

    不同 Ic、Vce 時(shí)的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):120 @ 1mA,5V

    不同 Ib、Ic 時(shí)的 Vce 飽和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA

    電流 - 集電極截止(最大值):100nA(ICBO)

    頻率 - 躍遷:-

    功率 - 最大值:150mW

    安裝類(lèi)型:表面貼裝

    封裝/外殼:SOT-723

    供應(yīng)商器件封裝:VESM


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