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    TPC8111(TE12L,Q,M)
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    東芝半導(dǎo)體公司完整型號(hào):TPC8111(TE12L,Q,M)

    制造廠家名稱:Toshiba Semiconductor and Storage

    描述:MOSFET P-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

    系列:-

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):30V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):11A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):12 毫歐 @ 5.5A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2V @ 1mA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):107nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5710pF @ 10V

    功率 - 最大值:-

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)

    供應(yīng)商器件封裝:8-SOP(5.5x6.0)


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