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    SI1051X-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI1051X-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):8V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):-

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):122 毫歐 @ 1.2A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):9.45nC @ 5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):560pF @ 4V

    功率 - 最大值:236mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:SOT-563,SOT-666

    供應(yīng)商器件封裝:SC-89-6


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