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    SI1305EDL-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI1305EDL-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET P-CH 8V 860MA SOT323-3

    系列:-

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):8V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):860mA(Ta)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):280 毫歐 @ 1A,4.5V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250μA(最?。?/p>

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):4nC @ 4.5V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:290mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:SC-70,SOT-323

    供應(yīng)商器件封裝:SC-70-3


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