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    SI3529DV-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI3529DV-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N/P-CH 40V 2.5A 6-TSOP

    系列:TrenchFET

    FET 類型:N 和 P 溝道

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):40V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):2.5A,1.95A

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.2A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):7nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):205pF @ 20V

    功率 - 最大值:1.4W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

    供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP


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