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    SI3900DV-T1-E3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI3900DV-T1-E3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET 2N-CH 20V 2A 6-TSOP

    系列:TrenchFET

    FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2A

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):125 毫歐 @ 2.4A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:830mW

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:SOT-23-6 細(xì)型,TSOT-23-6

    供應(yīng)商器件封裝:6-TSOP


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