SI4286DY-T1-GE3 >>> Vishay芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SI4286DY-T1-GE3報價、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實時獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫存數(shù)量及實時價格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購SI4286DY-T1-GE3？不再猶豫，找我們沒錯！對有長期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性價比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號：SI4286DY-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO

系列：TrenchFET

FET 類型：2 個 N 溝道（雙）

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：40V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：7A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：32.5 毫歐 @ 8A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.5nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：375pF @ 20V

功率 - 最大值：2.9W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SO