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    SI4447DY-T1-E3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI4447DY-T1-E3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET P-CH 40V 3.3A 8-SOIC

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):40V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.3A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):72 毫歐 @ 4.5A,15V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):14nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):805pF @ 20V

    功率 - 最大值:1.1W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

    供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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