- 產(chǎn)品型號(hào):SI4646DY-T1-GE3
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:8-SO
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
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Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI4646DY-T1-GE3
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 30V 12A 8SOIC
系列:SkyFET, TrenchFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss):30V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):12A(Tc)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):11.5 毫歐 @ 10A,10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):45nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1790pF @ 15V
功率 - 最大值:6.25W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:8-SO
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