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    SI4967DY-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI4967DY-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC

    系列:TrenchFET

    FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):12V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):-

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):23 毫歐 @ 7.5A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250μA(最?。?/p>

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):55nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:2W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

    供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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