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    SI5463EDC-T1-GE3
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    Vishay威世半導體原廠型號:SI5463EDC-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET P-CH 20V 3.8A 1206-8

    系列:-

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):3.8A(Ta)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):62 毫歐 @ 4A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):450mV @ 250μA(最?。?/p>

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 4.5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:1.25W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

    供應商器件封裝:1206-8 ChipFET


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