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    SI5475DDC-T1-GE3
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    Vishay威世半導體原廠型號:SI5475DDC-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET P-CH 12V 6A 1206-8

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅動

    漏源極電壓 (Vdss):12V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):32 毫歐 @ 5.4A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):50nC @ 8V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):1600pF @ 6V

    功率 - 最大值:5.7W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

    供應商器件封裝:1206-8 ChipFET


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