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    SI5517DU-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SI5517DU-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET

    系列:TrenchFET

    FET 類型:N 和 P 溝道

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6A

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):39 毫歐 @ 4.4A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 8V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):520pF @ 10V

    功率 - 最大值:8.3W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:PowerPAK CHIPFET 雙

    供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK ChipFet 雙


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