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    SI5920DC-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI5920DC-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET 2N-CH 8V 4A 1206-8

    系列:TrenchFET

    FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):8V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):4A

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):32 毫歐 @ 6.8A,4.5V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):12nC @ 5V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):680pF @ 4V

    功率 - 最大值:3.12W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SMD,扁平引線

    供應(yīng)商器件封裝:1206-8 ChipFET


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