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    SI7623DN-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI7623DN-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET P-CH 20V 35A 1212-8

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平柵極,2.5V 驅(qū)動(dòng)

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):35A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.8 毫歐 @ 20A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):180nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):5460pF @ 10V

    功率 - 最大值:52W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:PowerPAK 1212-8

    供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK 1212-8


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