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    SI7664DP-T1-E3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI7664DP-T1-E3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):30V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):40A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):3.1 毫歐 @ 20A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.8V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):125nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):7770pF @ 15V

    功率 - 最大值:83W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:PowerPAK SO-8

    供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SO-8


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