- 產(chǎn)品型號(hào):SI8402DB-T1-E1
- 制 造 商:Vishay(威世半導(dǎo)體)
- 出廠封裝:4-Microfoot
- 功能類別:單端場(chǎng)效應(yīng)管
- 功能描述:MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
SI8402DB-T1-E1 >>> Vishay芯片,深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SI8402DB-T1-E1報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載,想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎?那就馬上與我們聯(lián)系吧!
采購(gòu)SI8402DB-T1-E1?不再猶豫,找我們沒(méi)錯(cuò)!對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商,提供免費(fèi)樣品!從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn),我們將提供性價(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)!
Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI8402DB-T1-E1
制造商:Vishay Siliconix
描述:MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP
系列:TrenchFET
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss):20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):5.3A(Ta)
不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):37 毫歐 @ 1A,4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):26nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-
功率 - 最大值:1.47W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:4-XFBGA,CSPBGA
供應(yīng)商器件封裝:4-Microfoot
感谢您访问我们的网站,您可能还对以下资源感兴趣:
五月天婷婷丁香中文字幕-国产高清成人在线观看-丁香花在线视频观看免费-国产又刺激又黄又免费的视频-欧美开心激情综合网-成人午夜性a一级毛片免费一级黄色毛片-五月天在线观看免费视频播放-人人草人人-色视频综合-狠狠色婷婷丁香六月-wwwwxxxx电影