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Vishay威世半導體原廠型號：SI8812DB-T2-E1

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 20V MICROFOOT

系列：TrenchFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平柵極，2.5V 驅動

漏源極電壓 (Vdss)：20V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：-

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：59 毫歐 @ 1A，4.5V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：17nC @ 8V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-

功率 - 最大值：500mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-UFBGA

供應商器件封裝：4-Microfoot