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    SI9934BDY-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SI9934BDY-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET 2P-CH 12V 4.8A 8SOIC

    系列:TrenchFET

    FET 類型:2 個(gè) P 溝道(雙)

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):12V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):4.8A

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):35 毫歐 @ 6.4A,4.5V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):20nC @ 4.5V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):-

    功率 - 最大值:1.1W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

    供應(yīng)商器件封裝:8-SO


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