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    SIA950DJ-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIA950DJ-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET 2N-CH 190V 950MA SC-70-6

    系列:LITTLE FOOT

    FET 類型:2 個 N 溝道(雙)

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):190V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):950mA

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):3.8 歐姆 @ 360mA,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.4V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4.5nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):90pF @ 100V

    功率 - 最大值:7W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:PowerPAK SC-70-6 雙

    供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SC-70-6 雙


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