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    SIB411DK-T1-E3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SIB411DK-T1-E3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET P-CH 20V 9A SC75-6

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):9A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):66 毫歐 @ 3.3A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15nC @ 8V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):470pF @ 10V

    功率 - 最大值:13W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:PowerPAK SC-75-6L

    供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SC-75-6L 單


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