SIB414DK-T1-GE3 >>> Vishay芯片，深圳市諾森半導(dǎo)電子有限公司提供Vishay公司SIB414DK-T1-GE3報(bào)價(jià)、現(xiàn)貨供應(yīng)、功能介紹、技術(shù)資料下載，想實(shí)時(shí)獲取此顆IC的全球現(xiàn)貨庫(kù)存數(shù)量及實(shí)時(shí)價(jià)格嗎？那就馬上與我們聯(lián)系吧！

采購(gòu)SIB414DK-T1-GE3？不再猶豫，找我們沒(méi)錯(cuò)！對(duì)有長(zhǎng)期需求的制造商，提供免費(fèi)樣品！從前期的產(chǎn)品試產(chǎn)到大批量生產(chǎn)，我們將提供性?xún)r(jià)比最高的現(xiàn)貨供應(yīng)服務(wù)！

Vishay威世半導(dǎo)體原廠(chǎng)型號(hào)：SIB414DK-T1-GE3

制造商：Vishay Siliconix

描述：MOSFET N-CH 8V 9A PPAK SC75-6

系列：TrenchFET

FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：8V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）：9A（Tc）

不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值）：26 毫歐 @ 7.9A，4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：14.03nC @ 5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：732pF @ 4V

功率 - 最大值：13W

安裝類(lèi)型：表面貼裝

封裝/外殼：PowerPAK SC-75-6L

供應(yīng)商器件封裝：PowerPAK SC-75-6L 單