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    SIB911DK-T1-E3
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    Vishay威世半導體原廠型號:SIB911DK-T1-E3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET 2P-CH 20V 2.6A SC75-6

    系列:TrenchFET

    FET 類型:2 個 P 溝道(雙)

    FET 功能:標準

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):2.6A

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):295 毫歐 @ 1.5A,4.5V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4nC @ 8V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):115pF @ 10V

    功率 - 最大值:3.1W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:PowerPAK SC-75-6L 雙

    供應商器件封裝:PowerPAK SC-75-6L 雙


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