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    SIE868DF-T1-GE3
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    Vishay威世半導體原廠型號:SIE868DF-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N-CH 40V 60A POLARPAK

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標準

    漏源極電壓 (Vdss):40V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):60A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):2.3 毫歐 @ 20A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):145nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):6100pF @ 20V

    功率 - 最大值:125W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:10-PolarPAK(L)

    供應商器件封裝:10-PolarPAK(L)


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