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    SIHP25N50E-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SIHP25N50E-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N-CH 500V 26A TO-220AB

    系列:-

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):500V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):26A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):145 毫歐 @ 12A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):86nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1980pF @ 100V

    功率 - 最大值:250W

    安裝類型:通孔

    封裝/外殼:TO-220-3

    供應(yīng)商器件封裝:TO-220AB


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