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    SIJ420DP-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SIJ420DP-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N-CH 20V 50A PPAK SO-8

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

    漏源極電壓 (Vdss):20V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):50A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):2.6 毫歐 @ 15A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.4V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):90nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):3630pF @ 10V

    功率 - 最大值:62.5W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:PowerPAK SO-8

    供應(yīng)商器件封裝:PowerPAK SO-8


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