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    SQ2319ES-T1-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SQ2319ES-T1-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET P-CH 40V 4.6A TO-236

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET P 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):40V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):4.6A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):75 毫歐 @ 3A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):16nC @ 10V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):620pF @ 25V

    功率 - 最大值:3W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

    供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)


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