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    SQD25N06-22L-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號(hào):SQD25N06-22L-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N-CH 60V 25A TO252

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):60V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時(shí)):25A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):22 毫歐 @ 20A,10V

    不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250μA

    不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg):50nC @ 10V

    不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss):1975pF @ 25V

    功率 - 最大值:62W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

    供應(yīng)商器件封裝:TO-252,(D-Pak)


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