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    SUD06N10-225L-GE3
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    Vishay威世半導(dǎo)體原廠型號:SUD06N10-225L-GE3

    制造商:Vishay Siliconix

    描述:MOSFET N-CH 100V 6.5A DPAK

    系列:TrenchFET

    FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

    FET 功能:邏輯電平門

    漏源極電壓 (Vdss):100V

    電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):6.5A(Tc)

    不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):200 毫歐 @ 3A,10V

    不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250μA

    不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):4nC @ 5V

    不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):240pF @ 25V

    功率 - 最大值:1.25W

    安裝類型:表面貼裝

    封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63

    供應(yīng)商器件封裝:TO-252AA


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